BSM75GD120DN2 datasheet
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>> BSM75GD120DN2 IGBT 模块 1200V 75A 3-PHASE datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
BSM75GD120DN2
库存数量:
3
制造商:
Infineon Technologies
描述:
IGBT 模块 1200V 75A 3-PHASE
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> IGBT 模块
描述
IGBT 模块 1200V 75A 3-PHASE
BSM75GD120DN2 PDF下载
制造商
Infineon Technologies
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
103 A
栅极—射极漏泄电流
320 nA
功率耗散
520 W
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
EconoPACK 3A
封装
相关资料
属性
链接
代理商
BSM75GD120DN2
BSM75GD170DL
BSM75GD60
BSM75GD60DLC
BSM75GP60
BSN20
供应商
公司名
电话
深圳市中平科技有限公司
0755-83946385
赖先生
昆山开发区美科微电子商行
18951125455
易春花
深圳市鹏展胜电子有限公司
0755-82769203
林先生
北京首天伟业科技有限公司
010-62565447
刘先生
北京元坤伟业科技有限公司
010-62104931
刘先生
刘学
刘先生
北京杰创宏达电子有限公司
010-61190909
沈小姐/伊小姐
深圳市瑞智芯科技有限公司
0755-82999903
朱先生
广州市睿科电子科技有限公司
15975398125
曾小姐/汤小姐
BSM75GD120DN2 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
1
340.804
340.804
10
314.986
3149.86
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