买卖IC网 >> 产品目录 >> BSM75GD120DN2 IGBT 模块 1200V 75A 3-PHASE datasheet RF/IF 和 RFID
型号:

BSM75GD120DN2

库存数量:3
制造商:Infineon Technologies
描述:IGBT 模块 1200V 75A 3-PHASE
RoHS:
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> IGBT 模块
描述 IGBT 模块 1200V 75A 3-PHASE
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制造商 Infineon Technologies
产品 IGBT Silicon Modules
配置 Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO 1200 V
集电极—射极饱和电压 2.5 V
在25 C的连续集电极电流 103 A
栅极—射极漏泄电流 320 nA
功率耗散 520 W
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 EconoPACK 3A
封装
相关资料
供应商
公司名
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深圳市中平科技有限公司 0755-83946385 赖先生
昆山开发区美科微电子商行 18951125455 易春花
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北京首天伟业科技有限公司 010-62565447 刘先生
北京元坤伟业科技有限公司 010-62104931 刘先生
刘学 刘先生
北京杰创宏达电子有限公司 010-61190909 沈小姐/伊小姐
深圳市瑞智芯科技有限公司 0755-82999903 朱先生
广州市睿科电子科技有限公司 15975398125 曾小姐/汤小姐
  • BSM75GD120DN2 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 340.804 340.804
    10 314.986 3149.86